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IGBT突波吸收電容
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IGBT突波吸收電容

雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù),使電容具低感抗,

多條引線設(shè)計(jì),可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過(guò)壓能力。

用于各類(lèi)IGBT緩沖線路突波吸收,各類(lèi)高頻諧振線路

 

材料特性

電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)

封裝: 阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹(shù)脂封裝,符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).

尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù) 。(可按客戶(hù)需求定制特殊規(guī)格)

電氣特性

電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)

額定電壓: 700 to 3000 Vdc

損耗角正切: 測(cè)試條件 1000±20 Hz , 25±5.

              Cr≤1.0μF 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4

絕緣電阻: 3000ss= MΩ. μF 測(cè)試條件 1 minute,100Vdc (25±5)

耐電壓: 2Ur (DC)測(cè)試條件 10st 25±5,1Min

工作溫度: -40~+85

以上產(chǎn)品全新原裝進(jìn)口,有現(xiàn)貨,直接代理商,有價(jià)格優(yōu)勢(shì)

深圳市嘉林電子有限公司  林高勤     13502822457    0755-82429076  QQ:28390510

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